| MARCA | HIKSEMI | |
| MODELO | SSD DE CONSUMO WAVE(P) | |
| NUMERO DE PARTE | HS-SSD-WAVE(P) 512G | |
| CAPACIDAD | 512 GB | |
| LECTURA SECUENCIAL | 2230 MB/s | |
| ESCRITURA SECUENCIAL | 2000 MB/s | |
| FORMATO | M.2 2280 | |
| CARACTERISTICAS TECNICAS |
MÁX. EJECUCIÓN: 4K IOPS DE LECTURA: 460K
MÁX. RANURA. 4K IOPS DE ESCRITURA: 335K
| | CONSUMO MÁXIMO DE ENERGÍA: 2,2 W | | TBW: 120 TB | | MEDIO DE ALMACENAMIENTO: NAND 3D | | INTERFAZ: PCIe | |
| PESO | ≤7 g | |
| CONDICIONES DE OPERACION | TEMPERATURA DE OPERACION | 0-70℃ | | MTBF | 1.500.000 horas | |
| CONDICIONES DE ALMACENAJE | TEMPERATURA DE ALMACENAJE | -40 °C a 85 °C | |
|
|
Etiquetas:
HIKSEMI, SSD DE CONSUMO WAVE(P), HS-SSD-WAVE(P) 512G, CAPACIDAD, 512 GB, LECTURA SECUENCIAL, 2230 MB/s, ESCRITURA SECUENCIAL, 2000 MB/s, FORMATO, M.2 2280, CARACTERISTICAS TECNICAS, MÁX. EJECUCIÓN: 4K IOPS DE LECTURA: 460K MÁX. RANURA. 4K IOPS DE ...
